股市中重视基本面和技术面是二大派别各有其词，其实应该是基本要好，一定要有技术面支撑(基本面＋技术面)才是好股票。为了让各位投资者更好的选对股票，接下来美盛财富通为大家讲解《ito导电膜》的内容，你可以看看是否有帮助。
ITO 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指标：电阻率和透光率。以下是由我整理关于ito知识的内容，希望大家喜欢!
ITO的介绍
在化学上，ITO 是Indium Tin Oxides的缩写。
作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。因此，铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上，用作透明导电薄膜，同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。
在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形，其中透光率达90%以上。ITO中其透光率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例来控制，通常SnO2:In2O3=1:9。
目前ITO膜层之电阻率一般在5*10E-4左右，最好可达5*10E-5，已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以方块电阻来表征ITO的导电性能，其透过率则可达90%以上，ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例控制，增加氧化铟比例则可提高ITO之透过率，通常SnO2: In2O3=1:9，因为氧化锡之厚度超过200Å时，通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。
如用是电流平行流经ITO脱层的情形，其中d为膜厚，I为电流，L1为在电流方向上膜厚层长度，L2为在垂直于电流方向上的膜层长主，当电流流过方形导电膜时，该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜 之电阻率，对于给定膜层，P和d可视为定值，P/d，当L1=L2时，怒火正方形膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值P/d，此即方块电阻定义： R□=P/d，式中R□单位为：欧姆/□(Ω/□)，由此可所出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低，膜厚越大。
目前在高档STN液晶显示屏中所用ITO玻璃，其R□可达10Ω/□左右，膜厚为100-200nm，而一般低档TN产品的ITO玻璃R□为100-300Ω/□，膜厚为20-30nm。
影响ITO阻值的因素
1、ITO玻璃之方块电阻
要确保走线电阻小，应酬让ITO玻璃方块电阻小，因为R□=P/d，则必须选P小，d适当大些的材料。
2、L1/L2
L1/L2即走线在平行电流方向与垂直电流方向上的长度比，在R□一定时，要保证走线电阻值小，就要让L1/L2小，当L1一定时，只有增大L2，也说法是在设计时，走线应尽可能加宽;而当L2一定时，L1就要小，即走线宽度一定时，细线应尽可能短。
3、ITO阻值影响
在LCD显示屏设计当中，不仅要考虑走线布对ITO阻值的影响，还要考虑生产工艺对ITO阻值的影响，以便选择适当方块电阻的ITO玻璃，以便设计到制作的全面控制，生产高对比的LCD产品，这时高占空比及COG产品无为重要，如ITO膜厚的均匀性，因为ITO的靶材及工艺的不稳定，会使同样长度与宽度的ITO阻值发生变化，如目标值为10Ω时，其R□范围在8-12Ω之间，所以在生产中要使用ITO膜厚均匀的导电玻璃，以减少电阻的变化，其次为ITO玻璃的耐高温时性，酸碱性，因为通常LCD生产工艺中要使用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡，而一般在300°C *30min的环境中，会使R□增大2-3倍，而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min(60°C)下也会增到1.1倍左右，由此可知，在生产工艺中不宜采用高温生产及酸碱的长时清洗，若无法避免，则应尽量在低温下进行并尽量缩短动作时间。
就是氧化铟锡膜，一种导电膜，镀在玻璃表面，就是导电玻璃，也可以镀在塑料表面~
1、首先ito导电膜的主要材料是氧化铟锡，这也是世界上主流的导电薄膜，在接线时要轻轻的将表面的薄膜撕开，漏出ito的锡。
2、然后将ito导电膜与需要接的线进行绑定用电胶布缠绕固定即可。
ITO导电膜是一种具有导电功能的氧化铟锡薄膜，基材通常为PET材质，是在PET薄膜上形成以稀有金属In（铟）为主要原料的ITO（Indium Tin Oxide）靶材而制成的。
作为一种n型半导体材料，ITO导电膜具有较高的自有载流子浓度（电阻率低）、禁带宽度1、可见光谱区光透射率高等光学特征，基于透光率和导电性能较好，ITO导电膜被广泛应用于平板显示器件、太阳能电池等诸多领域。 ITO导电膜的主要特性包括：（1）导电性能好，电阻率可达10-4Ω? cm；（2）可见光透光率高，可达85%以上；（3）对紫外线具有吸收性，吸收率在85%以上；（4）对红外线具有反射性，反射率在80%以上；（5）对微波具有衰减性，衰减率也可达85%（6）薄层硬度高，耐磨，耐化学腐蚀；（7）膜层加工性能好，便于刻蚀等。高的可见光透光率与相当低的电阻率结合在一起，使ITO薄膜成为目前综合性能最优异的透明导电材料之一。
ITO 薄膜的制备方法有多种，主要分为两大类：物理法和化学法，物理法包括磁控溅射、真空蒸发、离子增强沉积、激光脉冲沉积等，化学法包括热解喷涂、化学气相沉积、溶胶-凝胶法等，在这些制备方法中目前使用最多的是磁控溅射法。
液晶显示器的液晶盒中上下玻璃片之间的间隔,即通常所说的盒厚,一般为几个微米(人的准确性直径为几十微米).上下玻璃片内侧,对应显示图形部分,镀有透明的氧化甸-氧化锡(简称ITO)导电薄膜,即显示电极。
ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法（ITO 薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等, 但使用最多的是反应磁控溅射法），在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO膜层的厚度不同，膜的导电性能和透光性能也不同。一般来说，在相同的工艺条件和性能相同的PET基底材料的情况下，ITO膜层越厚，PET-ITO膜的表面电阻越小，光透过率也相应的越小。ITO薄膜具有良好的导电性和可见光区较高的光透过率。
【ito膜在led中的作用】为了提高led芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ito芯片的led，gan基白光led中如果用ito替代ni/au作为p型电极芯片的亮度要比采用通用电极的芯片高20％－30％。在众多可作为透明电极的材料中，ito是被最广泛应用的一种，ito薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指针：电阻率和透光率。主要是由于ito可同时具有低电阻率及高光穿透率的特性，符合了导电性及透光性良好的要求。在氧化物导电膜中，以掺sn的in2o3(ito)膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形。
【ito薄膜】是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。
建议自己下去查查资料
这样的提问没有意义
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